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  • FD/DF斬波模塊英飛凌IGBT斬波模塊FD150R/FD200R/DF150R

    在電動汽車的“三電”方面,TESLA的Model S使用的三相異步驅動電機,其中每一相的驅動控制需要使用28顆塑封的IGBT芯片,三相共需要使用84顆IGBT芯片。算算總量,就可知需求的龐大。此外,充電樁的核心部件也要用到IGBT芯片。英飛凌為國內電動乘用車市場供應62.8萬套IGBT模塊,*達到58%。英飛凌IGBT斬波模塊FD150R/FD200R/DF150R

    更新時間:2024-06-24
    產品型號:FD/DF斬波模塊
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  • GX6U/GAL2U/GT6U系列IGBT模塊2U/6U全新*Infineon英飛凌系列

    由于系統結構的問題,有時驅動板不能直接焊在或是螺絲擰在IGBT上,而是通過線纜連接到IGBT的輔助端子。連同驅動電路本身的輸出雜散電感和IGBT內部的柵極綁定線雜散電感一起,構成了柵極回路電感Lg。它會顯著影響IGBT的開關性能,尤其是開通性能。IGBT模塊2U/6U全新*Infineon英飛凌系列

    更新時間:2024-06-24
    產品型號:GX6U/GAL2U/GT6U系列
    瀏覽量:938
  • GD6單元系列1200V英飛凌 6單元IGBT模塊BSM半導體

    IGBT開通性能而言,有兩個比較重要的表現指標:一個是開通時橋臂電流的變化率di/dt,另一個是器件從關斷狀態到導通狀態所產生的開通損耗。前者如果太高,續流二極管(FWD)也會有一個很快的反向恢復過程,這可能會導致反向恢復電流出現振蕩從而引起二極管的失效。后者是直接關系到IGBT的工作效率及其對散熱器的設計需求,這對成本控制和器件的可靠性非常有意義。1200V英飛凌 6單元IGBT模塊BSM半導體

    更新時間:2024-06-24
    產品型號:GD6單元系列
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  • GA1單元系列英飛凌IGBT模塊1單元BSM系列1200V/1700V

    如今,IGBT已被廣泛應用于工業電源領域。與MOSFET相同,它也是一種壓控型器件。其開關性能可通過IGBT驅動設置加以控制或影響。優化IGBT開關性能對于系統設計而言十分重要,因為不同的開關損耗會影響散熱設計和IGBT使用壽命。英飛凌IGBT模塊1單元BSM系列1200V/1700V GA1單元系列

    更新時間:2024-06-24
    產品型號:GA1單元系列
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  • GB系列英飛凌IGBT模塊BSM系列GB2單元功率模塊

    德國infineon公司生產的IGBT模塊品種繁多,為了使客戶選型方便,我們對其按電壓等級進行分類,共有600V/650V、1200V、1600V/1700V、3300V、4500V/6500V五種電壓等級,每一電壓等級中又按內部結構進行二級分類。英飛凌IGBT模塊BSM系列GB2單元功率模塊,可詳細咨詢客服

    更新時間:2024-06-24
    產品型號:GB系列
    瀏覽量:780
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