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  • 150-300V艾賽斯模塊

    艾賽斯MOS管模塊在導(dǎo)通和截止的時(shí)候,MOS兩端的電壓有一個(gè)下降的過程,流過的電流有一個(gè)上升的過程,在這段時(shí)間內(nèi),MOS管的損失時(shí)電壓和電流的乘積,叫做開關(guān)損失。艾賽斯模塊

    更新時(shí)間:2024-07-12
    產(chǎn)品型號(hào):150-300V
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  • APT38F50J APT30M60J美高森美場(chǎng)效應(yīng)管APT29F80J功率模塊MOS管

    MOS管導(dǎo)通特性,導(dǎo)通的意義是作為開關(guān),相當(dāng)于開關(guān)閉合。NMOS的特性,Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適宜用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動(dòng)),只需柵極電壓抵達(dá)4V或10V就可以了。PMOS的特性,Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適宜用于源極接VCC時(shí)的情況。美高森美場(chǎng)效應(yīng)管APT29F80J功率模塊MOS管

    更新時(shí)間:2024-03-22
    產(chǎn)品型號(hào):APT38F50J APT30M60J
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  • MSC040SMA120JMSC080SMA12JMSC025SMA120J美高森美MOS管場(chǎng)效應(yīng)管全新

    MOS管導(dǎo)通特性,導(dǎo)通的意義是作為開關(guān),相當(dāng)于開關(guān)閉合。NMOS的特性,Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適宜用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動(dòng)),只需柵極電壓抵達(dá)4V或10V就可以了。PMOS的特性,Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適宜用于源極接VCC時(shí)的情況。MSC025SMA120J美高森美MOS管場(chǎng)效應(yīng)管全新

    更新時(shí)間:2024-03-22
    產(chǎn)品型號(hào):MSC040SMA120JMSC080SMA12J
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  • FA72SA50LC  FA72SA50LC威士MOS管FB190SA10場(chǎng)效應(yīng)管功率模塊

    在供電系統(tǒng)中,MOS管的主要作用的是穩(wěn)壓。MOS管芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個(gè)外殼,即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護(hù)、冷卻的作用,同時(shí)還為芯片提供電氣連接和隔離,以便MOSFET器件與其它元件構(gòu)成完整的電路。威士MOS管FB190SA10場(chǎng)效應(yīng)管功率模塊

    更新時(shí)間:2024-06-24
    產(chǎn)品型號(hào):FA72SA50LC FA72SA50LC
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  • APT47F60J/APT20M22JVRU2美高森美MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管/功率模塊/APT系列

    MOS管導(dǎo)通特性,導(dǎo)通的意義是作為開關(guān),相當(dāng)于開關(guān)閉合。NMOS的特性,Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適宜用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動(dòng)),只需柵極電壓抵達(dá)4V或10V就可以了。PMOS的特性,Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適宜用于源極接VCC時(shí)的情況。美高森美MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管/功率模塊/APT系列

    更新時(shí)間:2024-06-24
    產(chǎn)品型號(hào):APT47F60J/APT20M22JVRU2
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