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技術文章

Technical articles

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  • 20238-2
    探討高壓快速熔斷器的限制電壓

    高壓快速熔斷器作為電力系統中的重要組成部分,具有保護電力設備和維護電網安全穩定運行的重要作用。在實際應用中,確定合適的限制電壓是保證熔斷器正常工作的關鍵因素。本文將介紹熔斷器的限制電壓及其重要性,并闡述如何正確選擇適當的限制電壓。高壓快速熔斷器廣泛用于輸電線路、變電站等電力系統中,用于保護負荷和設備免受過流、短路等故障的影響。它以其快速切斷電流的特點保證了電力系統的安全運行,有效降低了事故和損壞的風險。限制電壓是指熔斷器能夠正常工作的最大電壓值。當電網電壓超過限制電壓時,熔斷...

  • 20237-14
    電容觸摸傳感器取代機械開關

    傳統機械開關應用較為廣泛,其在靈敏度與觸覺反饋等領域有著良好的表現。但是隨著智能化時代的來臨,人們對這些參數的需求也在逐漸提升,因此利用電容觸摸傳感器來取代機械開關,就成為了一個不錯的選擇。電容觸摸傳感器可以不需要任何外部元件或材料,能夠憑借標準兩層或四層PCB上的走線(trace)或柔性電路來滿足工作需求。不受外界環境影響,在任何工況下都能夠保持靈敏水平是對傳感器的一大要求和考驗。因為印刷電路電容傳感器容易因為溫濕度變化而發生漂移,這時候漂移補償功能就十分必要了。PCB還可...

  • 20236-15
    igbt模塊功能有哪些?

    一般散熱片底部安裝有散熱風扇,當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發熱,而發生故障。因此對散熱風扇應定期進行檢查,一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器,當溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作。IGBT功率模塊采用IC驅動,各種驅動保護電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術,從復合功率模塊PIM發展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發展,其產品水平為1200—1800A/1800—3300V,IPM除...

  • 20235-29
    西門康可控硅模塊的原理及應用

    西門康是一家工業自動化解決方案提供商,其可控硅模塊是一種常用于交流電源控制和調節中的電子元件。可控硅模塊的原理是利用半導體材料的特性,在一個周期內將交流電壓轉換為脈沖式直流電壓。當觸發器接收到控制信號時,它會開啟可控硅,使其從導通狀態轉換為截止狀態,從而通過改變導通時間來控制負載電流。這種模塊具有體積小、重量輕、反應速度快等優點,并且可以根據需要進行組合使用,形成不同功率等級的控制模塊。在工業生產中,可控硅模塊被廣泛應用于交流電源調節、直流電源調節、變頻器、電動機軟起動、電磁...

  • 20233-21
    高壓快速熔斷器的原理、優點、構造和應用

    在現代社會中,電力已經成為生產、生活和通訊等各個方面不可或缺的能源,因此電網的安全運行至關重要。為了保障電網的安全,采用高壓快速熔斷器已經成為一種有效的方式。本文將從高壓快速熔斷器的原理、優點、構造和應用等方面進行敘述。一、原理高壓快速熔斷器是一種保護電網安全的重要裝置。它的作用是在電路發生短路故障時,迅速地熔斷故障區域,避免電路繼續運行,保持電網的運行安全。它的原理是在電路發生故障時,通過熔斷器迅速斷開電路,防止故障擴大,并在一定時間內貯存能量。當電力恢復正常,它可以快速地...

  • 20232-2
    快速熔斷器和普通熔斷器區別有哪些?

    巴斯曼快速熔斷器是一種熔斷器的一種,快速熔斷器主要用于半導體整流元件或整流裝置的短路保護。由于半導體元件的過載能力很低。只能在極短時間內承受較大的過載電流,因此要求短路保護具有快速熔斷的能力。快速熔斷器的結構和有填料封閉式熔斷器基本相同,但熔體材料和形狀不同,它是以銀片沖制的有V形深槽的變截面熔體。快速熔斷器的熔絲除了具有一定形狀的金屬絲外,還會在上面點上某種材質的焊點,其目的為了使熔絲在過載情況下迅速斷開。快速熔斷器是一種保護電路的裝置,有多種類型,隨著對生活生產安全的高度...

  • 202212-12
    高壓快速斷器您了解多少呢?

    高壓快速斷器是一種斷器的一種,快速斷器主要用于半導體整流元件或整流裝置的短路保護。由于半導體元件的過載能力很低。只能在極短時間內承受較大的過載電流,因此要求短路保護具有快速斷的能力。快速斷器的結構和有填料封閉式斷器基本相同,但體材料和形狀不同,它是以銀片沖制的有V形深槽的變截面體。快速斷器的絲除了具有一定形狀的金屬絲外,還會在上面點上某種材質的焊點,其目的為了使絲在過載情況下迅速斷開。快速斷器:斷器主要用于半導體整流元件或整流器件的短路保護。因為半導體元件的過載能力很低。只能...

  • 202211-14
    艾賽斯模塊的可靠性測試究竟有什么意義?

    艾賽斯模塊的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,流過反向基極電流,使IGBT關斷。IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。艾賽斯模塊的可靠性測試是在其生產中不可少的一個環節,為何這么說呢?艾賽斯模塊是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它融合了這兩種器件的優點,既具有MOSFET器件...

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