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IGBT發(fā)展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標(biāo)的，特別是發(fā)展高壓變頻器的應(yīng)用，簡化其主電路，減少使用器件，提高可靠性，降低制造成本，簡化調(diào)試工作等，都與IGBT有密切的內(nèi)在聯(lián)系，所以世界各大器件公司都在奮力研究、開發(fā)，予估近2-3年內(nèi)，會有突破性的進展。已有適用于高壓變頻器的有電壓型HV-IGBT,igct,電流型sgct等。美高森美IGBT模塊全新現(xiàn)貨半導(dǎo)體電子元器件

IGBT是第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關(guān)電源等。問世有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR、雙極型達林頓管等，單個元件電壓可達4.0KV（pt結(jié)構(gòu)）一6.5KV（npt結(jié)構(gòu)），電流可達1.5KA,是較為理想的功率模塊。IXBN75N170 德國艾賽斯IGBT模塊/功率半導(dǎo)體

在供電系統(tǒng)中，MOS管的主要作用的是穩(wěn)壓。MOS管芯片在制作完成之后，需要給MOSFET芯片加上一個外殼，即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護、冷卻的作用，同時還為芯片提供電氣連接和隔離，以便MOSFET器件與其它元件構(gòu)成完整的電路。威士MOS管FB190SA10場效應(yīng)管功率模塊

MOS管導(dǎo)通特性，導(dǎo)通的意義是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適宜用于源極接地時的情況（低端驅(qū)動），只需柵極電壓抵達4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適宜用于源極接VCC時的情況。美高森美MOS管/場效應(yīng)管/功率模塊/APT系列

MOS場效應(yīng)晶體管通常簡稱為場效應(yīng)管，是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。和普通雙極型晶體管相比擬，場效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特性，場效應(yīng)管的品種很多，主要分為結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵場效應(yīng)管兩大類，又都有N溝道和P溝道之分。低功率艾賽斯IXYS模塊MOS管場效應(yīng)管開關(guān)