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MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導體(Semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(Insulator)—半導體。MOS管的Source和Drain是可以對調的，他們都是在P型Backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。艾賽斯模塊MOS管現貨供應

MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導體型場效應管，屬于場效應管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時被稱為絕緣柵場效應管 MOS管/三極管/場效應管 德國IXYS艾賽斯

MOS具有以下特點：開關速度快、高頻率性能好、輸入阻抗高、驅動功率小、熱穩定性優良、無二次擊穿問題、全工作區寬、工作線性度高等。其最重要的有點就是能夠減少體積大小與重量，提供給設計者一種高速度、高功率、高電壓與高增益的元件。在各類中小功率開關電路中應用極為廣泛。 艾賽斯IXYS場效應管MOS管觸發開關驅動模塊

mos管在電路中一般用作電子開關，在開關電源中常用MOS管的漏極開路電路，漏極原封不動地接負載，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負載接多高的電壓，都能夠接通和關斷負載電流。是理想的模擬開關器件。這就是MOS管做開關器件的原理。當然MOS管做開關使用的電路形式比較多了。德國艾賽斯MOS管場效應管模塊貼片大功率

IGBT最常見的應用形式是模塊。大電流和大電壓環境多使用IGBT模塊，IHS數據顯示模塊和單管比例為3:1。而IPM是特殊的IGBT模塊，主要應用于中小功率變頻系統。IGBT模塊主要有五種結構。以2 in 1模塊為例，模塊中封裝了兩組芯片，根據電流或功率要求不同每組可并聯多顆IGBT芯片（ IGBT芯片與FRD一一對應）英飛凌二極管IGBT模塊BYM600A/300B170DN2